展望未來的DDR5內(nèi)存——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
現(xiàn)在DDR4還沒普及談DDR5可能有點(diǎn)早,DDR5內(nèi)存目前還在研發(fā)階段,尚未有具體規(guī)范,所以廠商公布的很多規(guī)格都不是確定的,其目標(biāo)是相比DDR4內(nèi)存至少帶寬翻倍,容量更大,同時更加節(jié)能,具體來說就是數(shù)據(jù)頻率從目前1.6-3.2Gbps的水平提升到3.2-6.4Gbps,預(yù)取位寬從8bit翻倍到16bit,內(nèi)存庫提升到16-32個。至于電壓,DDR4電壓已經(jīng)降至1.2v,DDR5有望降至1.1v或者更低。
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內(nèi)存條插在哪個插槽里性能是的好呢?——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
主板上的電腦內(nèi)存卡座通常有4根,但是我們手里的內(nèi)存只有1~2根,這時候問題就來了,到底內(nèi)存插到什么位置,性能好的呢?
如果你手里只有一根內(nèi)存,那么通過這個測試,結(jié)果已經(jīng)非常明顯了。插槽1,也就是靠近處理器的內(nèi)存插槽,性能是好的,相對于其他插槽大概有3%左右的提升。但是,如果選擇這個插槽,那我們不得不面臨另一個問題:發(fā)熱。處理器工作時產(chǎn)生的熱量比較大,處理器散熱器吹出的熱風(fēng)更是直接吹到內(nèi)存上,插槽1 更加靠近處理器,也意味著內(nèi)存在這里溫度更容易上升。如果將處理器和內(nèi)存的距離稍微拉大一點(diǎn),情況顯然會有所改善。因此如果加上這方面的考慮,我們建議你選擇插槽4,盡管在這個插槽中,內(nèi)存帶寬會降低一點(diǎn),但是讀寫性能的提高能夠彌補(bǔ)這一點(diǎn)。
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電腦內(nèi)存卡座的推出——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
在DDR內(nèi)存戰(zhàn)勝了RDRAM之后就開啟了DDR王朝,就如大家所知道的,后續(xù)的都是DDR的衍生產(chǎn)品,DDR2內(nèi)存在2004年6月與Intel的915/925主板一同登場,伴隨了大半個LGA 775時代,而AMD的K8架構(gòu)由于把內(nèi)存控制器整合在CPU內(nèi)部,要把內(nèi)存控制器改成DDR2的比Intel麻煩得多,直到2006年6月AM2平臺推出才開始支持DDR2內(nèi)存,估計現(xiàn)在還有些用DDR2內(nèi)存的電腦在服役吧。
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